Компания SK Hynix представила новое поколение оперативной памяти DDR5 DRAM. Помимо внушительной пропускной способности и снижения энергопотребления, модули бренда могут похвастаться и другим рекордным показателем — объём одной планки в старших модификациях достигает 256 ГБ.
По заверению производителя, скорость передачи данных при использовании модулей DDR5 возросла в 1,8 раза по сравнению с DDR4 и варьируется в диапазоне от 4800 до 5600 Мбит/с. Для повышения энергоэффективности производитель снизил напряжение питания с 1,2 до 1,1 вольта. Новинка по умолчанию предусматривает поддержку коррекции ошибок Error Correcting Code (ECC), что повышает стабильность работы приложений и минимизирует их случайные вылеты.
SK Hynix также отметила, что использование технологии Through-Silicon-Via (TSV) позволило увеличить максимальный объём одного модуля памяти до 256 ГБ. Новые комплектующие изначально будут доступны для серверных решений, но позднее доберутся и до потребительского сегмента. По оценке аналитиков компании Omdia, к 2024 году 43% компьютеров будут использовать именно стандарт памяти DDR5 DRAM.
Розничная цена модулей DIMM DDR5 будет объявлена производителем позднее.
Источник: 4pda.ru
